SP8M4HZGTB
ROHM — MOSFET dual-gate, canale N e P, 30 V, 30 V, 9 A, 9 A, 0.018 ohm
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| Distributore | Unitario | Merce | Spedizione | Totale | Collegamento |
|---|---|---|---|---|---|
| Farnell / element14Più convenienteAutorizzato · Regno Unito e Germania | € 1,75 | € 17,50 | € 20,00 | € 45,75 | Vai ↗ |
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Specifiche tecniche
| tariffCode | 85412900 |
| euEccn | NLR |
| rohsCompliant | YES |
| Stile di Case del Transistor | SOP |
| hazardous | false |
| rohsPhthalatesCompliant | YES |
| Numero di pin | 8 Pin |
| isCanonical | Y |
| Resistenza RdsON canale P | 0.028 ohm |
| Resistenza RdsON canale N | 0.018 ohm |
| Temperatura di esercizio max | 150 °C |
| Tipo di canale | canale N e P |
| Corrente di drain continua (Id) canale N | 9 A |
| Dissipazione di potenza canale N | 2 W |
| Codice produttore | SP8M4HZGTB |
| Produttore | ROHM |
| Contenitore | Non indicato |
| Ciclo di vita | Attivo |
| Conformità RoHS | Conforme |
| Quantità minima d'ordine | 1 pz |
| Lead time tipico | 20 settimane |
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