SIZ342DT-T1-GE3
VISHAY — MOSFET dual-gate, canale N, 30 V, 30 V, 30 A, 30 A, 8400 µohm
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| Distributore | Unitario | Merce | Spedizione | Totale | Collegamento |
|---|---|---|---|---|---|
| Farnell / element14Più convenienteAutorizzato · Regno Unito e Germania | € 0,778 | € 7,78 | € 20,00 | € 33,89 | Vai ↗ |
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Specifiche tecniche
| tariffCode | 85412900 |
| euEccn | NLR |
| Gamma di prodotti | TrenchFET Gen IV Series |
| rohsCompliant | YES |
| Stile di Case del Transistor | PowerPAIR |
| hazardous | false |
| rohsPhthalatesCompliant | YES |
| Numero di pin | 8 Pin |
| isCanonical | Y |
| Resistenza RdsON canale P | 8400 µohm |
| Resistenza RdsON canale N | 8400 µohm |
| Temperatura di esercizio max | 150 °C |
| Tipo di canale | canale N |
| Corrente di drain continua (Id) canale N | 30 A |
| Codice produttore | SIZ342DT-T1-GE3 |
| Produttore | VISHAY |
| Contenitore | Non indicato |
| Ciclo di vita | Attivo |
| Conformità RoHS | Conforme |
| Quantità minima d'ordine | 1 pz |
| Lead time tipico | 27 settimane |
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