SISS61DN-T1-GE3
VISHAY — MOSFET di potenza, canale P, 20 V, 111.9 A, 3500 µohm, PowerPAK 1212
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| Distributore | Unitario | Merce | Spedizione | Totale | Collegamento |
|---|---|---|---|---|---|
| Farnell / element14Più convenienteAutorizzato · Regno Unito e Germania | € 1,84 | € 9,20 | € 20,00 | € 35,62 | Vai ↗ |
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Specifiche tecniche
| tariffCode | 85412900 |
| euEccn | NLR |
| Gamma di prodotti | TrenchFET Gen III |
| rohsCompliant | YES |
| Resistenza Drain-Source in conduzione | 3500 µohm |
| Stile di Case del Transistor | PowerPAK 1212 |
| hazardous | false |
| rohsPhthalatesCompliant | YES |
| Montaggio Transistore | montaggio superficiale (SMT) |
| Numero di pin | 8 Pin |
| isCanonical | Y |
| Dissipazione di potenza | 65.8 W |
| Tensione di soglia Gate-Source massima | 900 mV |
| Temperatura di esercizio max | 150 °C |
| Codice produttore | SISS61DN-T1-GE3 |
| Produttore | VISHAY |
| Contenitore | Non indicato |
| Ciclo di vita | Attivo |
| Conformità RoHS | Conforme |
| Quantità minima d'ordine | 5 pz |
| Lead time tipico | 49 settimane |
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