SIHU4N80AE-GE3
VISHAY — MOSFET di potenza, canale N, 800 V, 4.1 A, 1.44 ohm, TO-251, foro passante (THT)
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| Distributore | Unitario | Merce | Spedizione | Totale | Collegamento |
|---|---|---|---|---|---|
| Farnell / element14Più convenienteAutorizzato · Regno Unito e Germania | € 1,31 | € 13,10 | € 20,00 | € 40,38 | Vai ↗ |
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Specifiche tecniche
| tariffCode | 85412900 |
| euEccn | NLR |
| Gamma di prodotti | E |
| rohsCompliant | YES |
| Resistenza Drain-Source in conduzione | 1.44 ohm |
| Stile di Case del Transistor | TO-251 |
| hazardous | false |
| rohsPhthalatesCompliant | YES |
| Montaggio Transistore | foro passante (THT) |
| Numero di pin | 3 Pin |
| isCanonical | Y |
| Dissipazione di potenza | 62.5 W |
| Tensione di soglia Gate-Source massima | 4 V |
| Temperatura di esercizio max | 150 °C |
| Codice produttore | SIHU4N80AE-GE3 |
| Produttore | VISHAY |
| Contenitore | Non indicato |
| Ciclo di vita | Attivo |
| Conformità RoHS | Conforme |
| Quantità minima d'ordine | 1 pz |
| Lead time tipico | 32 settimane |
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