SI9407BDY-T1-GE3
VISHAY — MOSFET di potenza, canale P, 60 V, 4.7 A, 0.12 ohm, SOIC, montaggio superficiale (SMT)
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| Distributore | Unitario | Merce | Spedizione | Totale | Collegamento |
|---|---|---|---|---|---|
| Farnell / element14Più convenienteAutorizzato · Regno Unito e Germania | € 1,40 | € 7,00 | € 20,00 | € 32,94 | Vai ↗ |
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Specifiche tecniche
| tariffCode | 85412900 |
| euEccn | NLR |
| rohsCompliant | Y-EX |
| Resistenza Drain-Source in conduzione | 0.12 ohm |
| Stile di Case del Transistor | SOIC |
| hazardous | false |
| rohsPhthalatesCompliant | YES |
| Montaggio Transistore | montaggio superficiale (SMT) |
| Numero di pin | 8 Pin |
| isCanonical | Y |
| Dissipazione di potenza | 5 W |
| Tensione di soglia Gate-Source massima | 3 V |
| Temperatura di esercizio max | 150 °C |
| Tipo di canale | canale P |
| Codice produttore | SI9407BDY-T1-GE3 |
| Produttore | VISHAY |
| Contenitore | Non indicato |
| Ciclo di vita | Attivo |
| Conformità RoHS | Non dichiarata |
| Quantità minima d'ordine | 5 pz |
| Lead time tipico | 12 settimane |
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