SI6562CDQ-T1-GE3
Vishay Siliconix — MOSFET N/P-CH 20V 6.7A 8TSSOP
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Specifiche tecniche
| Tecnologia | MOSFET (ossido di metallo) |
| Configurazione | Canale N e P |
| Funzione FET | Porta a livello logico |
| Tensione drain/source (Vdss) | 20V |
| Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | 6,7 A, 6,1 A |
| RDSon (max) a Id, Vgs | 22mohm a 5,7A, 4,5V |
| Vgs(th) max a Id | 1,5V a 250µA |
| Carica del gate (Qg) max a Vgs | 23nC a 10V |
| Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds | 850pF a 10V |
| Potenza - Max | 1,6W, 1,7W |
| Temperatura di funzionamento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | A montaggio superficiale |
| Contenitore/involucro | 8-TSSOP (larghezza 0,173", 4,40mm) |
| Contenitore del fornitore | 8-TSSOP |
| Codice produttore | SI6562CDQ-T1-GE3 |
| Produttore | Vishay Siliconix |
| Contenitore | 8-TSSOP (larghezza 0,173", 4,40mm) |
| Ciclo di vita | Attivo |
| Conformità RoHS | Non dichiarata |
| Quantità minima d'ordine | 1 pz |
| Lead time tipico | 55 settimane |
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