QS8M51TR
Rohm Semiconductor — MOSFET N/P-CH 100V 2A/1.5A TSMT8
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| Distributore | Unitario | Merce | Spedizione | Totale | Collegamento |
|---|---|---|---|---|---|
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Specifiche tecniche
| Tecnologia | MOSFET (ossido di metallo) |
| Configurazione | Canale N e P |
| Funzione FET | Porta a livello logico |
| Tensione drain/source (Vdss) | 100V |
| Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | 2A, 1,5A |
| RDSon (max) a Id, Vgs | 325mohm a 2A, 10V |
| Vgs(th) max a Id | 2,5V a 1mA |
| Carica del gate (Qg) max a Vgs | 4,7nC a 5V |
| Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds | 290pF a 25V, 950pF a 25V |
| Potenza - Max | 1,5W |
| Temperatura di funzionamento | 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | A montaggio superficiale |
| Contenitore/involucro | 8-SMD, conduttori piatti |
| Contenitore del fornitore | TSMT8 |
| Codice produttore | QS8M51TR |
| Produttore | Rohm Semiconductor |
| Contenitore | 8-SMD, conduttori piatti |
| Ciclo di vita | Attivo |
| Conformità RoHS | Non dichiarata |
| Quantità minima d'ordine | 1 pz |
| Lead time tipico | 12 settimane |
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