NXH350N100H4Q2F2S1G
ONSEMI — Modulo IGBT, Modulo ibrido Si/SiC, EliteSiC, Four Pack, 303 A, 1.63 V, 592 W, 175 °C, modulo
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| Distributore | Unitario | Merce | Spedizione | Totale | Collegamento |
|---|---|---|---|---|---|
| Farnell / element14Più convenienteAutorizzato · Regno Unito e Germania | € 125,00 | € 1250,00 | gratuita | € 1525,00 | Vai ↗ |
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Specifiche tecniche
| tariffCode | 85412900 |
| Tensione Saturaz Collettore-Emettitore Vce(on) | 1.63 V |
| euEccn | NLR |
| Gamma di prodotti | EliteSiC Series |
| rohsCompliant | YES |
| Tensione Collettore-Emettitore V(br)ceo | 1 kV |
| Tensione di saturazione Collettore-Emettitore | 1.63 V |
| Corrente di Collettore CC | 303 A |
| Terminazione IGBT | a saldare |
| Stile di Case del Transistor | modulo |
| hazardous | false |
| rohsPhthalatesCompliant | YES |
| Massima tensione Collettore-Emettitore | 1 kV |
| Montaggio Transistore | a pannello |
| Codice produttore | NXH350N100H4Q2F2S1G |
| Produttore | ONSEMI |
| Contenitore | Non indicato |
| Ciclo di vita | Attivo |
| Conformità RoHS | Conforme |
| Quantità minima d'ordine | 1 pz |
| Lead time tipico | 14 settimane |
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