NTBG080N120SC1
ONSEMI — MOSFET al carburo di silicio, EliteSiC, configurazione singola, canale N, 30 A, 1.2 kV, 0.08 ohm
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| Distributore | Unitario | Merce | Spedizione | Totale | Collegamento |
|---|---|---|---|---|---|
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Specifiche tecniche
| tariffCode | 85412900 |
| euEccn | NLR |
| Gamma di prodotti | EliteSiC Series |
| rohsCompliant | Y-EX |
| Resistenza Drain-Source in conduzione | 0.08 ohm |
| Stile di Case del Transistor | TO-263HV (D2PAK) |
| hazardous | false |
| rohsPhthalatesCompliant | YES |
| Numero di pin | 7 Pin |
| isCanonical | Y |
| Dissipazione di potenza | 179 W |
| Tensione di soglia Gate-Source massima | 3 V |
| Temperatura di esercizio max | 175 °C |
| Tipo di canale | canale N |
| Codice produttore | NTBG080N120SC1 |
| Produttore | ONSEMI |
| Contenitore | Non indicato |
| Ciclo di vita | Attivo |
| Conformità RoHS | Non dichiarata |
| Quantità minima d'ordine | 1 pz |
| Lead time tipico | 21 settimane |
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