IPG20N10S4L22AATMA1
Infineon Technologies — MOSFET 2N-CH 100V 20A 8TDSON
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| Distributore | Unitario | Merce | Spedizione | Totale | Collegamento |
|---|---|---|---|---|---|
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Specifiche tecniche
| Tecnologia | MOSFET (ossido di metallo) |
| Configurazione | 2 canali N (doppio) |
| Funzione FET | Porta a livello logico |
| Tensione drain/source (Vdss) | 100V |
| Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | 20A |
| RDSon (max) a Id, Vgs | 22mohm a 17A, 10V |
| Vgs(th) max a Id | 2,1V a 25µA |
| Carica del gate (Qg) max a Vgs | 27nC a 10V |
| Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds | 1755pF a 25V |
| Potenza - Max | 60W |
| Temperatura di funzionamento | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Montaggio superficiale, fianchi impregnabili |
| Contenitore/involucro | 8-PowerVDFN |
| Contenitore del fornitore | PG-TDSON-8-10 |
| Codice produttore | IPG20N10S4L22AATMA1 |
| Produttore | Infineon Technologies |
| Contenitore | 8-PowerVDFN |
| Ciclo di vita | Attivo |
| Conformità RoHS | Non dichiarata |
| Quantità minima d'ordine | 1 pz |
| Lead time tipico | 39 settimane |
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