IPB80P04P4L04ATMA2
INFINEON — MOSFET di potenza, canale P, 40 V, 80 A, 3800 µohm, TO-263 (D2PAK), montaggio superficiale (SMT)
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| Distributore | Unitario | Merce | Spedizione | Totale | Collegamento |
|---|---|---|---|---|---|
| Farnell / element14Più convenienteAutorizzato · Regno Unito e Germania | € 1,81 | € 18,10 | € 20,00 | € 46,48 | Vai ↗ |
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Specifiche tecniche
| tariffCode | 85412900 |
| euEccn | NLR |
| Gamma di prodotti | OptiMOS-P2 |
| rohsCompliant | YES |
| Resistenza Drain-Source in conduzione | 3800 µohm |
| Stile di Case del Transistor | TO-263 (D2PAK) |
| hazardous | false |
| rohsPhthalatesCompliant | YES |
| Montaggio Transistore | montaggio superficiale (SMT) |
| Numero di pin | 3 Pin |
| isCanonical | Y |
| Dissipazione di potenza | 125 W |
| Tensione di soglia Gate-Source massima | 1.7 V |
| Temperatura di esercizio max | 175 °C |
| Codice produttore | IPB80P04P4L04ATMA2 |
| Produttore | INFINEON |
| Contenitore | Non indicato |
| Ciclo di vita | Attivo |
| Conformità RoHS | Conforme |
| Quantità minima d'ordine | 1 pz |
| Lead time tipico | 14 settimane |
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