GD200HFX65C1S
STARPOWER — Modulo IGBT, mezzo ponte, 250 A, 1.45 V, 612 W, 150 °C, modulo
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| Distributore | Unitario | Merce | Spedizione | Totale | Collegamento |
|---|---|---|---|---|---|
| Farnell / element14Più convenienteAutorizzato · Regno Unito e Germania | € 41,73 | € 417,30 | gratuita | € 509,11 | Vai ↗ |
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Specifiche tecniche
| tariffCode | 85412900 |
| Tensione Saturaz Collettore-Emettitore Vce(on) | 1.45 V |
| euEccn | NLR |
| rohsCompliant | YES |
| Tensione Collettore-Emettitore V(br)ceo | 650 V |
| Tensione di saturazione Collettore-Emettitore | 1.45 V |
| Corrente di Collettore CC | 250 A |
| Terminazione IGBT | prigioniero |
| Stile di Case del Transistor | modulo |
| hazardous | false |
| rohsPhthalatesCompliant | YES |
| Massima tensione Collettore-Emettitore | 650 V |
| Montaggio Transistore | a pannello |
| isCanonical | Y |
| Codice produttore | GD200HFX65C1S |
| Produttore | STARPOWER |
| Contenitore | Non indicato |
| Ciclo di vita | Attivo |
| Conformità RoHS | Conforme |
| Quantità minima d'ordine | 1 pz |
| Lead time tipico | 24 settimane |
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