FDS3890
onsemi — MOSFET 2N-CH 80V 4.7A 8SOIC
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| Distributore | Unitario | Merce | Spedizione | Totale | Collegamento |
|---|---|---|---|---|---|
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Specifiche tecniche
| Tecnologia | MOSFET (ossido di metallo) |
| Configurazione | 2 canali N (doppio) |
| Funzione FET | Porta a livello logico |
| Tensione drain/source (Vdss) | 80V |
| Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | 4,7A |
| RDSon (max) a Id, Vgs | 44mohm a 4,7A, 10V |
| Vgs(th) max a Id | 4V a 250µA |
| Carica del gate (Qg) max a Vgs | 35nC a 10V |
| Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds | 1180pF a 40V |
| Potenza - Max | 900mW |
| Temperatura di funzionamento | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | A montaggio superficiale |
| Contenitore/involucro | 8-SOIC (larghezza 0,154", 3,90mm) |
| Contenitore del fornitore | 8-SOIC |
| Codice produttore | FDS3890 |
| Produttore | onsemi |
| Contenitore | 8-SOIC (larghezza 0,154", 3,90mm) |
| Ciclo di vita | Attivo |
| Conformità RoHS | Non dichiarata |
| Quantità minima d'ordine | 1 pz |
| Lead time tipico | 48 settimane |
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