FDC6306P
onsemi — MOSFET 2P-CH 20V 1.9A SSOT6
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| Distributore | Unitario | Merce | Spedizione | Totale | Collegamento |
|---|---|---|---|---|---|
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Specifiche tecniche
| Tecnologia | MOSFET (ossido di metallo) |
| Configurazione | 2 canali P (doppio) |
| Funzione FET | Porta a livello logico |
| Tensione drain/source (Vdss) | 20V |
| Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | 1,9A |
| RDSon (max) a Id, Vgs | 170mohm a 1,9A, 4,5V |
| Vgs(th) max a Id | 1,5V a 250µA |
| Carica del gate (Qg) max a Vgs | 4,2nC a 4,5V |
| Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds | 441pF a 10V |
| Potenza - Max | 700mW |
| Temperatura di funzionamento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | A montaggio superficiale |
| Contenitore/involucro | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
| Contenitore del fornitore | SuperSOT™-6 |
| Codice produttore | FDC6306P |
| Produttore | onsemi |
| Contenitore | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
| Ciclo di vita | Attivo |
| Conformità RoHS | Non dichiarata |
| Quantità minima d'ordine | 1 pz |
| Lead time tipico | 29 settimane |
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